Tßτλος του μαθÞματος | ΤηλεπικοινωνιακÜ ΗλεκτρονικÜ
Κωδικüς αριθμüς μαθÞματος | ELC 204
Τýπος του μαθÞματος | Υποχρεωτικü
Επßπεδο του μαθÞματος | Μεταπτυχιακü
¸τος σπουδþν | 1ο
ΕξÜμηνο | 2ο
ΠιστωτικÝς μονÜδες ECTS | 5
¼νομα του διδÜσκοντος/των διδασκüντων | Σπ. ΒλÜσσης, Αν. ΚαθηγητÞς Γρ. Καλýβας, Αν. ΚαθηγητÞς
Επιδιωκüμενα μαθησιακÜ αποτελÝσματα του μαθÞματος | Στο τÝλος αυτοý του μαθÞματος ο φοιτητÞς θα μπορεß να Αναγνωρßζει τα χαρακτηριστικÜ στοιχεßα σχεδιασμοý τηλεπικοινωνιακþν αναλογικþν ολοκληρωμÝνων κυκλωμÜτων üπως γραμμικüτητα, εικüνα θορýβου, προσαρμογÞ ισχýος/θορýβου. ΣχεδιÜζει κυκλþματα αναλογικþν τηλεπικοινωνιακþν συστημÜτων üπως ενισχυτÝς χαμηλοý θορýβου και δικτυþματα προσαρμογÞς. Αναγνωρßζει και κατανοεß το φυσικü σχÝδιο των αναλογικþν ολοκληρωμÝνων κυκλωμÜτων για τηλεπικοινωνιακÝς εφαρμογÝς. Χρησιμοποιεß και κατανοεß προγρÜμματα προσομοßωσης και σχεδιασμοý κυκλωμÜτων.
Δεξιüτητες | Στο τÝλος αυτοý του μαθÞματος ο φοιτητÞς θα Ýχει περαιτÝρω αναπτýξει τις ακüλουθες δεξιüτητες Ικανüτητα να επιδεικνýει γνþση και κατανüηση των ουσιωδþν δεδομÝνων, εννοιþν, αρχþν και θεωριþν που σχετßζονται με τα αναλογικÜ κυκλþματα για τηλεπικοινωνιακÝς εφαρμογÝς. Ικανüτητα να εφαρμüζει αυτÞ τη γνþση στο σχεδιασμü αναλογικþν ολοκληρωμÝνων για τηλεπικοινωνιακÝς εφαρμογÝς. Ικανüτητα να εφαρμüζει μεθοδολογßα στη λýση σχεδιαστικþν προβλημÜτων τüσο στο ηλεκτρονικü σχÝδιο üσο και στο φυσικü σχεδιασμü κυκλωμÜτων. Δεξιüτητες μελÝτης που χρειÜζονται για τη συνεχÞ επαγγελματικÞ ανÜπτυξη. Ικανüτητα να αλληλεπιδρÜ με Üλλους σε προβλÞματα διεπιστημονικÞς φýσης.
ΠροαπαιτÞσεις | Δεν υπÜρχουν προαπαιτοýμενα μαθÞματα. Οι φοιτητÝς πρÝπει να Ýχουν τουλÜχιστον βασικÞ γνþση ηλεκτρονικþν.
Περιεχüμενα (ýλη) του μαθÞματος | ΠαθητικÜ στοιχεßα σε υψηλÝς συχνüτητες. Πηνßα, ΠυκνωτÝς ΑντιστÜσεις. Layout, Quality factor, μοντÝλα παθητικþν στοιχεßων. MOS transistor σε υψηλÝς συχνüτητες. Short-channel MOS model. Transit time effect. Velocity saturation. ΠροσαρμογÞ και S parameters. ΜÝγιστη μεταφορÜ ισχýος. RLC δικτυþματα. Δικτυþματα προσαρμογÞς. Sii Zii Yii ορισμοß, χρÞση. ΧÜρτης Smith. Ηλεκτρονικüς θüρυβος. ΠηγÝς θορýβου. Μοντελοποßηση θορýβου MOS και Bipolar τρανζßστορ. Υπολογισμüς θορýβου. Noise Figure. ΔυναμικÞ περιοχÞ συστÞματος. Σχεδßαση και ανÜλυση ΕνισχυτÞ χαμηλοý Θορýβου (LNA) με inductive degeneration. ΠροσαρμογÞ ισχýος και Θορýβου σε ΕνισχυτÞ χαμηλοý Θορýβου Γραμμικüτητα. Μη γραμμικüτητες κυκλωμÜτων. ΑρμονικÞ παραμüρφωση. Συμπßεση κÝρδους (C1dB). Ενδοδιαμüρφωση (IIP3, IM3, Input offset).
Συνιστþμενη βιβλιογραφßα προς μελÝτη | 1. B. Razavi, “RF Microelectronics”, Prentice Hall, 1998. 2. C. Bowik, “RF Circuit Design”, Newnes 1997.
ΔιδακτικÝς και μαθησιακÝς μÝθοδοι | Παραδüσεις με χρÞση διαφανειþν Þ/και παρουσιÜσεις με powerpoint, φροντιστÞρια με υποδειγματικÞ επßλυση προβλημÜτων σýνθεσης, επßλυση συνθετικþν προβλημÜτων απü τους φοιτητÝς σε ομÜδες των δýο ατüμων
ΜÝθοδοι αξιολüγησης/βαθμολüγησης | 1) ΠαρÜδοση εργασßας επßλυσης 4 συνθετικþν προβλημÜτων απü ομÜδες των δýο φοιτητþν (30% του τελικοý βαθμοý, υπολογßζεται μüνον üταν στην τελικÞ εξÝταση ο φοιτητÞς εξασφαλßσει το βαθμü 5) 2) ΓραπτÞ εξÝταση (70% του τελικοý βαθμοý)
Γλþσσα διδασκαλßας | ΕλληνικÜ. Mποροýν üμως να γßνουν οι παραδüσεις στην αγγλικÞ γλþσσα στην περßπτωση που αλλοδαποß φοιτητÝς παρακολουθοýν το πρüγραμμα.